FIB技術(shù)介紹

FIB(聚焦離子束)是將液態(tài)金屬(Ga)離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似,或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。

FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計及加工過程中的應(yīng)用介紹

FIB應(yīng)用項目

◆?IC芯片電路修改

用FIB對芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準(zhǔn)確的驗證設(shè)計方案。?若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。
???? FIB還能在終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。

◆?Cross-Section?截面分析

????用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點(diǎn)分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。

◆?Probing??Pad

????在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測試點(diǎn),?以便進(jìn)一步使用探針臺(Probe-?station)?或?E-beam?直接觀測IC內(nèi)部信號。

◆?FIB透射電鏡樣品制備

????這一技術(shù)的特點(diǎn)是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆粒或表面改性后的包覆顆粒，對于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術(shù)可以制備研究界面結(jié)構(gòu)的透射電鏡試樣。技術(shù)的另一重要特點(diǎn)是對原始組織損傷很小。

關(guān)鍵應(yīng)用技術(shù)

◆?微觀尺寸IC?芯片修改以糾正設(shè)計錯誤?

◆?更正銅線工藝及鋁線工藝的連線錯誤?

◆?分離芯片不同模塊以便糾錯?

◆?連接額外電阻，電容調(diào)試優(yōu)化芯片功能?

◆?增加探測觸點(diǎn)，以便分析出錯原因

◆?材料及器件失效分析?

◆?掃描電鏡和透射電鏡樣品制備?

◆?材料和器件截面及截面二次電子像

關(guān)鍵FIB服務(wù)技術(shù)

◆?系統(tǒng)維修?

◆?技術(shù)改進(jìn)和升級換代

◆?系統(tǒng)耗材和升級配件

◆?系統(tǒng)性能評估

◆?應(yīng)用研發(fā)

◆?FIB用戶培訓(xùn)

◆相關(guān)配套設(shè)備

面向?qū)ο?/strong>

◆?針對應(yīng)用產(chǎn)業(yè)：IC集成電路產(chǎn)業(yè)

◆?建議參加單位：IC芯片設(shè)計企業(yè)，具有IC研發(fā)項目的各大科研院校等

建議參加人員：芯片研發(fā)技術(shù)總監(jiān)，芯片產(chǎn)品經(jīng)理，IC芯片設(shè)計工程師，失效及可靠性分析工程師等